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shallow trench isolation半導體
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體...
[問題求助] 何謂STI effect?
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2008年1月23日—電晶體即使有相同的W/L,也會因為電晶體Layout形狀不同,而受到不同的STI(shallowTrenchIsolation)機械應力,...在同一半導體基板上製做複數個元件時 ...
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